• 所在位置: 首頁> 技術文章> 真空應用>
    文章詳情

    什么是PECVD?

    日期:2024-05-29 03:59
    瀏覽次數:2103
    摘要:

      PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等離子體增強化學氣相沉積法。

     
      PECVD:是借助微波射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
     
      實驗機理:是借助微波射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
     
    基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。
     

    缺點:

    1.設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;
    2.涂層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害;
    3.對小孔孔徑內表面難以涂層等。
    例子:在PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作為集成電路后的鈍化保護層,提高集成電路的性。
     
    幾種PECVD裝置
    圖(a)是一種簡單的電感耦合產生等離子體的PECVD裝置,可以在實驗室中使用。
    圖(b)它是一種平行板結構裝置。襯底放在具有溫控裝置的下面平板上,壓強通常保持在133Pa左右,射頻電壓加在上下平行板之間,于是在上下平板間就會出現電容耦合式的氣體放電,并產生等離子體。
    圖(c)是一種擴散爐內放置若干平行板、由電容式放電產生等離子體的PECVD裝置。它的設計主要為了配合工廠生產的需要,增加爐產量。

     

    下一篇: 什么是MOCVD?
    上一篇: 什么是LPCVD?

    滬公網安備 31011702004252號

    欧美日韩国产有码在线观看_亚洲av无码乱码在线观看_人妻精品久久久久中文字幕_久久精品99国产精品日本